공고
석경에이티, 6G 통신용 신소재 국책과제 참여…”글로벌
경쟁력 확보”
- 중공률 조절
및 입자 합성 등 중공 실리카 기술 활용해 저유전율, 저손실 소재 개발
- 6G 통신 인프라
구축 등 미래 첨단 산업용 부품 적용 소재 개발로 국가 경쟁력 제고
나노기술 전문기업 석경에이티(357550, 대표
임형섭)는 과학기술정보통신부의 ‘6G 통신용 Sub-THz 대역 저유전 PCB 소재 및 기판 기술개발’ 국책과제에 참여한다고 13일 밝혔다.
이번 국책과제는 서브 테라헤르츠(Sub-THz)
및 테라헤르츠(THz) 주파수 대역을 이용하는 6G, 위성통신, 항공우주 분야 등에 적용하는 저유전 인쇄회로기판(PCB)용 원소재와
다층 PCB의 빌드업 공정기술을 다룰 계획이다. 한국전자기술연구원이
주관하며, 총 2단계에 걸쳐 약 5년의 연구개발 기간이 소요된다. 석경에이티 외에 △코오롱중앙기술원 △LT소재 △한국전자기술연구원 △한국표준과학연구원 △한국실장산업협회 △LG이노텍이 공동 연구개발 기관으로 참여한다.
석경에이티는 중공률(Shell 두께) 조절과 균일한 중공 입자 합성 기술을 보유하고 있어 이번 과제에서 핵심적인 역할을 할 것으로 기대된다. 일반적으로 무기 산화물 중 실리카 분말은 유전율이 3.8로 가장
낮으며, 이를 더 낮추기 위해 중공 타입의 분말이 필요하기 때문이다.
중공률이 60%일 경우 유전율은 2 이하로 낮아져
효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
유전체는 사용 주파수의 대역폭이
올라갈수록 유전손실이 증가하므로100GHz이상 대역을 커버해야 하는
6G 통신 서비스를 구축하기 위해서는 Sub-THz 주파수 대역에서 신호의 초고속화 및
손실을 최소화할 수 있는 저유전율, 저손실 소재의 개발이 필요한 것이 이번 국책과제의 주요 배경이다.
석경에이티 관계자는 “첨단 고기능 나노소재
전문기업으로서 6G 통신용 Sub-THz 대역에 적용할 수
있는 저유전율, 저손실 소재 개발과 관련된 국가 차원의 신소재 개발 사업에 적극적으로 참여해 글로벌
경쟁력을 확보할 것”이라며, “주관 및 참여 기관들과의 협업을
통해 전기·전자 분야에서 필요한 핵심 소재 기술을 개발함으로써 기업의 사회적 책임도 다하겠다”고 말했다.
한편 정부는 2021년 “6G 시대를 준비하는 위성통신기술 발전전략”을 앞세워 저궤도 위성통신기술을
통한 지상-위성 통합망을 구축해 초공간 서비스를 제공하는 정책을 수립하고, 6G 시대를 대비할 수 있도록, 핵심기술로 예측되는 Sub-THz 및 THz 통신용 저유전 소재 분야의 경쟁력 확보가
시급하다고 발표했다. 끝.
2023.06.13 00:00:00